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干法蝕刻設(shè)備APIOS NE-950EX
量產(chǎn)的 LED 用干法蝕刻設(shè)備“NE-950EX”與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,生產(chǎn)率提高了 140%。它是配備ICP高密度等離子源和ULVAC**星形電極的干法蝕刻設(shè)備。
特征
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實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率(與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比提高 140%)。
4英寸晶圓可以同時(shí)批處理7個(gè)晶圓,6英寸晶圓可以同時(shí)批處理3個(gè)晶圓。
29 個(gè)小直徑 2 英寸晶圓和 12 個(gè) 3 英寸晶圓是可能的。 - 配備了擁有超過 600 種化合物半導(dǎo)體的跟蹤記錄的磁場(chǎng) ICP (ISM * 1) 高密度等離子體源。
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實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率(與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比提高 140%)。
* 1: ULVAC **號(hào) 3188353 - 配備了 ULVAC *初開發(fā)的星形電極 *2,以防止 RF 輸入窗口上出現(xiàn)污垢。
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實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率(與我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品相比提高 140%)。
* 2: ULVAC **號(hào) 3492391 - 通過徹底的倉(cāng)庫措施實(shí)現(xiàn)了可維護(hù)性、長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性的硬件。
- 工藝應(yīng)用豐富的干法刻蝕技術(shù)(GaN、藍(lán)寶石、各種金屬、ITO、SiC、AlN、ZnO、四元化合物半導(dǎo)體材料等)。
- 豐富的可選功能。
采用
- LED、藍(lán)寶石、各種金屬、ITO等用GaN的各種干法刻蝕。