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特征
- 我們通過(guò)開(kāi)發(fā)可在比傳統(tǒng)工藝溫度更高的溫度下運(yùn)行的每個(gè)單元的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)和真空搬運(yùn)機(jī)器人,實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的搬運(yùn)系統(tǒng)。
- 通過(guò)改進(jìn)反應(yīng)室內(nèi)的結(jié)構(gòu)和供氣系統(tǒng),可以獲得長(zhǎng)期穩(wěn)定的TEOS(SiO 2 )膜速率。
- 通過(guò)對(duì)反應(yīng)氣體路徑進(jìn)行加熱,可以將排除的設(shè)備以氣體狀態(tài)排出,不使用配管捕集器就可以抑制副產(chǎn)物附著在配管等上,可以縮短維護(hù)時(shí)間。
- 可以容易地進(jìn)行成膜條件等單獨(dú)的基板管理。
采用
- 低溫P-Si、α-Si TFT
規(guī)格
CMD-450BHT | CMD-650HT | CMD-950 | CMD-1500 | CMD-1800 | ||
板尺寸(毫米) | 400×500×t0.7 | 600×720×t0.7 | 730×920×t0.7~0.5 | 1300×1500×t0.7~0.4 | 1500×1800×t0.7~0.4 | |
房間組成 | 1) 準(zhǔn)備和拆除室 | 2 間客房 | ||||
房間組成 | 2) 加熱室 | 1 間 | ||||
3) 反應(yīng)室 | 4間(若有退火室則為3間) | 5間(若有退火室則為4間) | ||||
4) 運(yùn)輸室 | 1間(七邊形) | 1間(八角形) | 1間(七邊形) | |||
5) 真空排氣系統(tǒng) /制備/取出室 /反應(yīng)室 |
旋轉(zhuǎn) + Mekabu Dry + Mekabu | 干 + mekabu | ||||
6) 移板機(jī) | 選項(xiàng) | |||||
生產(chǎn) |
65秒/張 (我們的標(biāo)準(zhǔn)條件SiN 300nm單層) |
75秒/張 (我們的標(biāo)準(zhǔn)條件 SiN 300nm單層) |
無(wú)加熱室:65秒/張 有加熱室:90秒/張 (我們的標(biāo)準(zhǔn)條件SiN 300nm單層) |