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- 厚度可以通過(guò)光學(xué)方法非接觸式/非破壞式地測(cè)量
- 頻譜分析后進(jìn)行調(diào)節(jié)
- 拋光監(jiān)控可以實(shí)時(shí)高速進(jìn)行
- 測(cè)量中間層,如保護(hù)膜,窗口材料是可能的
- 多層厚度分析
- 配備原裝分析引擎(正在申請(qǐng)**)
- 采用獨(dú)特的厚度測(cè)量*佳分析算法?(**)
- 厚度分布可以自動(dòng)映射
(詳情請(qǐng)咨詢TEL:18375760285 QQ;1280713150 白先生)
- 薄膜厚度分析(5層)
- 硅元件厚度的評(píng)估
- 研磨評(píng)估硅和化合物半導(dǎo)體
- 1.3毫米新一代450毫米晶圓
- 775微米300毫米晶圓
- TSV晶圓(測(cè)量通孔上的Si膜和Si層膜)
- 也適用于硅晶片以外的材料廣泛適用(SiO 2,樹(shù)脂薄膜)
模型 | SF-3 |
厚度測(cè)量范圍 | 0.1μm至10μm,15μm至1000μm,10μm至775μm *,50μm至1600μm* |
重復(fù)性 | 0.01%以下 |
測(cè)量時(shí)間 | *快200μs(5 kHz) |
測(cè)量光源 | 半導(dǎo)體光源 |
測(cè)量直徑 | *小φ6μm |
WD | 取決于10毫米或更多的任意距離 |
維 | 123(W)×224(D)×128(H)mm(不包括突起) |